Dawon Kahng

Dawon Kahng
Información personal
Nacimiento	4 de mayo de 1931 Seúl (ocupación japonesa de Corea)
Fallecimiento	13 de mayo de 1992 (61 años) Nuevo Brunswick (Estados Unidos)
Nacionalidad	Surcoreana
Lengua materna	Coreano
Educación
Educado en	Universidad del Estado de Ohio
Información profesional
Ocupación	Ingeniero
Distinciones	Medalla Stuart Ballantine (1975) National Inventors Hall of Fame (2009)
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Dawon Kahng (Seúl; 4 de mayo de 1931 - Nuevo Brunswick, Nueva Jersey; 13 de mayo de 1992) fue un ingeniero eléctrico e inventor coreano-estadounidense, conocido por su trabajo en electrónica de estado sólido . En 1959, inventó junto con Mohamed Atalla el MOSFET (transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor) también conocido como "transistor MOS". Atalla y Kahng desarrollaron procesos para la fabricación del dispositivo semiconductor MOSFET tanto en tecnología PMOS como NMOS . El MOSFET es el tipo de transistor más utilizado hoy en día y el elemento básico en la mayoría de equipos electrónicos modernos .

Atalla y Kahng propusieron más tarde el concepto del circuito integrado MOS, ya principios de los años 60, hicieron un trabajo pionero en los diodos Schottky y los transistores a base de mano-layers (nano-capas). En 1967 Kahng inventó junto con Simon Sze, el "MOSFET de puerta flotante" (floting gate MOSFET). Kahng y Sze propusieron que el FGMOS se pudiera utilizar como células de memoria flotante en el tipo de memoria no volátil (NVM) y la memoria de sólo lectura (ROM) reprogramable, que se convirtió en la base de las EPROM ( ROM programable borrable), las EEPROM (ROM programable borrable eléctricamente) y las tecnologías de memoria flash . Kahng entró en la National Inventors Hall of Fame en 2009.